Tranzystor BUZ11AObudowa: TO 220Id: 26A Vds: 50V
Moc: 75W
Rezystancja kanału Rds: 0,055 OHM
Tranzystor BUZ11AObudowa: TO 220Id: 26A Vds: 50V Moc: 75W Rezystancja kanału Rds: 0,055 OHM
2N7000 KANAŁ N MOSFET Vdss = 60V Vgss =+/- 20V Id = 200 mA Obudowa TO-92 CENA ZA KOMPLET - 3 sztuki
2N7000 KANAŁ N MOSFET Vdss = 60V Vgss =+/- 20V Id = 200 mA Obudowa TO-92 CENA ZA KOMPLET - 3 sztuki
IRF7416 KANAŁ P MOSFET Vds = -30V Vgs =+/- 20V Id = -10A Obudowa SO08
IRF7413Z KANAŁ N MOSFET Vds = 30V Vgs =+/- 20V Id = 13 A Obudowa SO08
IRF7416 KANAŁ P MOSFET Vds = -30V Vgs =+/- 20V Id = -10A Obudowa SO08
IRF7413Z KANAŁ N MOSFET Vds = 30V Vgs =+/- 20V Id = 13 A Obudowa SO08
BSP315 KANAŁ P MOSFET Vdss = - 50V Vgss =+/- 20V Id = -1,1 A Obudowa SOT223
BSP315 KANAŁ P MOSFET Vdss = - 50V Vgss =+/- 20V Id = -1,1 A Obudowa SOT223
Tranzystor mocy IRFP460 MOSFET kanał N Obudowa: TO 247 Parametry dopuszczalne max: 20A, 280W, Vdss=500V
Tranzystor mocy IRFP460 MOSFET kanał N Obudowa: TO 247 Parametry dopuszczalne max: 20A, 280W, Vdss=500V
Tranzystor mocy IRFP450 MOSFET kanał N Obudowa: TO 247 Parametry dopuszczalne max: 14A, Vdss=500V
Tranzystor mocy IRFP450 MOSFET kanał N Obudowa: TO 247 Parametry dopuszczalne max: 14A, Vdss=500V
Tranzystor IRFZ48N Obudowa: TO 220 Id: 64A Vds: 55V P: 130W Link do dokumentacji:
Tranzystor IRFZ48N Obudowa: TO 220 Id: 64A Vds: 55V P: 130W Link do dokumentacji: